Sasmsung Electronics telah memulakan proses penghasilan cip generasi ke-2 10nm 16Gb LPDDR4X DRAM yang dihusukan untuk peranti telefon pintar kelas perdana.

Gergasi Korea Selatan itu mendakwa DRAM terbaru dari mereka mampu mengurangkan penggunaan tenaga sebanyak 10% dan pada masa yang sama mengekalkan pertukaran data sebanyak 4.266 mbps seperti yang terdapat di dalam cip generasi pertama mereka.

Mengikut Naib Presiden Kanan Jualan Memori & Pemasaran Samsung Electronics, Sewon Chun:

Kemunculan DRAM mudah alih 10nm akan membolehkan peningkatan solusi kepada telefon pintar generasi seterusnya yang dijangkakan menemui pasaran seawal akhir tahun ini.

Kami akan terus membangunkan siri DRAM premium bagi memenuhi permintaan pasaran yang mahukan cip memori berprestasi tinggi dan juga rendah dari segi penggunaan tenaga.

Samsung menggabungkan 2 cip 10nm berkapasiti 16gb LPDDR4X menjadi satu cip LPDDR4X yang berkapasiti 8GB yang mempunyai 4 saluran membawa kadar data sebanyak 34.1GB sesaat dan ketebalan yang dikurangkan sebanyak 20% dari generasi pertama. Ini membolehkan pengeluar telefon pintar menghasilkan peranti yang leibh nipis dan berkesan.

Samsung juga telah mula mengoperasikan kilangnya di Pyeongtaek bagi tujuan penghasilan cip DRAM mereka supaya bekalan produk tersebut di pasaran sentiasa dipenuhi.

Sumber: TechPowerUp, ZDnet