Samsung Electronics sebagai pengeluar komponen elektronik terbesar di dunia termasuk penghasilan cip pemprosesandan memori telah mengumumkan yang mereka telah memulakan kerja-kerja penghasilan cip memori V-NAND generasi ke-5 mereka.
Cip dengan antaramuka ‘Toggle DDR 4.0’, pertama di dalam industri itu menjanjikan 40% peningkatan prestasi dalam urusan pemindahan data antara storan dan memori. Peningkatan prestasi tersebut tidak sama sekali mengorbankan kecekapan tenaga berbanding cip terdahulu kerana voltan operasi telah diturunkan dari 1.8 V kepada 1.2 V.
Cip V-NAND terbaru ini juga mempunyai kelajuan menulis terpantas ketika ini yang berada pada kelajuan 500 us; peningkatan sebanyak 30% berbanding cip terdahulu. Masa reaksi untuk membaca juga telah diturunkan sehingga 50 us.
Kesemua ini memastikan SSD generasi seterusnya mempunyai komponen yang berkemampuan memberikan prestasi yang lebih pantas seterusnya menghasilkan solusi memori yang lebih cekap kepada pengguna.
Di dalamnya mempunyai lebih dari 90 lapisan sel 3D charge trap flash (CTF), paling banyak di dalam industri yang disusun di dalam struktrur piramid dengan sambungan saluran mikroskopik menegak. Saluran ini yang hanya berdiameter kurang dari 1m mengadungi lebih dari 85 bilion sel CTF yang berkemampuan menyimpan 3 bits data setiap satu.
Samsung akan terus mempercepatkan penghasilan V-NAND mereka untuk memenuhi permintaan pasaran yang merangkumi perkomputeran, pelayan perusahaan dan aplikasi mobil seperti telefon pintar.
Sumber: Samsung Newsroom,TechPowerUp
