Solid State Drive (SSD) kini mendapat tempat di hati pengguna bagi menggantikan Hard Disk Drive yang masih menggunakan kaedah konvensional. Samsung sebelum ini mengumumkan proses pembuatan V-NAND generasi ke-5 yang dijangka meningkatkan kelajuan SSD.
Toshiba pula mengumumkan pembangunan sampel prototaip 96-lapisan flash BiCS, teknologi tersendiri syarikat tersebut berdasarkan 3D NAND dengan 4 bit per sel (QLC). Teknologi QLC (quad-level cell) BiCS dari Toshiba ini dijangkakan akan menghasilkan lebih kapasiti untuk setiap cip memori.
Mengikut Engadget, projek pembangunan ini boleh meningkatkan kapasiti SSD sebanyak 500%. Dengan meningkatkan kiraan bit kepada 4 dari 3, kapasiti sebanyak 1.33 terabit (Tb) untuk setiap cip tunggal sudah menjadi sejarah.
Dari segi prestasi pula, tidak dapat dipastikan samada teknologi QLC ini dapat menandingi MLC (multi-level cell) kerana TLC sebelum ini juga tidak menunjukkan prestasi yang baik dari segi kelajuan menulis. Apa yang pasti, industri kini sudah mula bergerak ke arah cip 3D NAND 96-lapisan sebelum tahun 2019.
