Samsung Electronics telah mengumumkan kejayaan mereka dalam membangunkan cip memori DRAM LPDDR5 8GB yang pertama di dunia. Cip yang ditujukan khas bagi memberi sokongan kepada aplikasi-aplikasi sambungan 5G dan juga A.I yang akan menemui peranti telefon pintar generasi seterusnya.
Cip 10nm ini mempunyai kadar pertukaran data sehingga 6,400Mbps yang membawa kelajuan 1.5 kali ganda lebih laju dari apa yang ditawarkan oleh cip DRAM terkini yang digunakan di dalam telefon pintar.
Kadar yang ditingkatkan ini menghasilkan keupayaan data sebesar 51.2GB dihantar untuk setiap saat-14 fail video Full HD 1080 dengan setiap saiz sebesar 3.7GB.
Samsung menawarkan cip terbaru ini dalam dua jalur lebar; 6,400 Mbps pada 1.1V voltan operasi dan 5,500 Mbps pada 1.05V. Mereka mendakwa mencapai prestasi ini dengan menambah baik senibina cip sedia ada seperti meningkatkan jumlah bank memori kepada 16.
DRAM terbaru daru Samsung ini juga mempunyai mod ‘tidur’ yang mengurangkan penggunaan tenaga sehigga separuh dari apa yang ada ketika ini, secara langsung meningkatkan jangka hayat bateri untuk telefon pintar.
Samsung tidak memberikan jalur masa bila cip terbaru ini akan memasuki fasa pembuatan seterusnya tarikh kemungkinan cip-cip ini akan sampai kepada pengeluar telefon pintar di luar sana.
